一种气相外延系统及其维护操作方法
授权
摘要
本发明提供一种气相外延系统,包括载盘支撑装置、盖体、反应室、供气系统及排气室,载盘支撑装置穿过盖体,盖体与载盘支撑装置连接;反应室包括内腔室和外腔室,内腔室为反应腔,内腔室设置于外腔室中;供气系统位于反应室的一端部;内腔室包括第一分体和第二分体,第一分体靠近供气系统,第二分体远离供气系统;排气室与外腔室堆叠设置,排气室与外腔室密封隔离,内腔室与排气室连接;排气室远离供气系统的一端设有开口,内腔室可移动地设置于外腔室和排气室中。本发明通过引入具有分体结构的内腔室以及升降结构,可以在维护时只需更换内腔室的分体部分,无需整管更换,便于设备维护,可简化维护流程,提高设备稼动率和良率。
基本信息
专利标题 :
一种气相外延系统及其维护操作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113604874A
申请号 :
CN202110845179.0
公开(公告)日 :
2021-11-05
申请日 :
2021-07-26
授权号 :
CN113604874B
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
林桂荣
申请人 :
楚赟精工科技(上海)有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路665号三层
代理机构 :
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 :
余明伟
优先权 :
CN202110845179.0
主分类号 :
C30B25/08
IPC分类号 :
C30B25/08 C30B25/12 C30B25/10 C30B28/14
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/08
反应室;其所用材料的选择
法律状态
2022-05-03 :
授权
2021-11-23 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/08
申请日 : 20210726
申请日 : 20210726
2021-11-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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