气相外延生长方法及带有外延层的基板的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种SiC基板的制造装置，其包括：在加热处理时使内部空间产生Si蒸气和C蒸气的SiC容器；和能够在Si环境下对所述SiC容器进行加热的高温真空炉。
基本信息
专利标题 ：
气相外延生长方法及带有外延层的基板的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114351248A
申请号 ：
CN202111339283.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2017-04-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金子忠昭久津间保德芦田晃嗣桥本辽
申请人 ：
学校法人关西学院;丰田通商株式会社
申请人地址 ：
日本兵库县
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN202111339283.9
主分类号 ：
C30B25/02
IPC分类号 ：
C30B25/02 C30B29/36 C30B25/08 C30B25/18 C30B25/20 C30B25/10 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/02
申请日 : 20170427
申请日 : 20170427
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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