一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，该LED外延片包括N型掺杂复合层，所述N型掺杂复合层是由第一N型掺杂GaN层、未故意掺杂的超晶格层以及第二N型掺杂GaN层依次生长而成的结构，其中，所述第一N型掺杂GaN层和所述第二N型掺杂GaN层中掺杂有Si，所述第一N型掺杂GaN层中掺杂Si的浓度大于所述第二N型掺杂GaN层中掺杂Si的浓度，所述未故意掺杂的超晶格层为InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN层，且x＞0，y≤1。通过本发明可以在提高LED的空穴迁移率的同时，调整电子迁移率，从而达到改善多量子阱内电子‑空穴波函数重叠率，提高发光效率的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464709A
申请号 ：
CN202210381577.6
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-04-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡加辉刘春杨吕蒙普金从龙
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
彭琰
优先权 ：
CN202210381577.6
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/14 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20220413
申请日 : 20220413
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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