本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，LED外延片包括包括钝化层和电极外延层，所述钝化层包括第一钝化层和位于所述第一钝化层之上的第二钝化层，其中，至少存在部分所述电极外延层沉积于所述第一钝化层上，且所述电极外延层的外围被所述第二钝化层包裹。通过在第一钝化层上沉积电极外延层，再将第二钝化层沉积于电极外延层外围，将电极外延层包裹，其中，从电极结构分析，电极外延层底部外环部分为金属迁移最严重区域，主要通过第一钝化层进行保护，而第二钝化层主要保护的是电极外延层的外侧，通过第一钝化层和第二钝化层将电极外延层完全包裹，从而达到防止金属迁移的目的。