一种外延结构及其外延生长方法、LED芯片
公开
摘要
本发明提供一种外延结构及其外延生长方法、LED芯片，外延结构包括衬底、外延生长于衬底上的N型覆盖层、以及外延生长于N型覆盖层上的多量子阱层，多量子阱层包括多对交替生长的量子阱层和量子垒层；其中，N型覆盖层的Si掺浓度大于3e17，并且量子阱层和量子垒层的对数随N型覆盖层的Si掺浓度的增加而增加。此外，本发明通过增加N型覆盖层的Si掺浓度，提高了N层载流子浓度，这样在同等条件下，载流子迁移机率增加，使得外延PN结复合效率上升。此外，随着N型覆盖层的掺杂浓度的增加，还让多量子阱层同步增加垒和阱的对数，提高了载流子溢流的极限，使得光强饱和值上升，从而使同制程下芯片可得到的亮度更高。
基本信息
专利标题 ：
一种外延结构及其外延生长方法、LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583024A
申请号 ：
CN202210199467.8
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
贾钊窦志珍兰晓雯杨琦胡加辉金从龙顾伟
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘红伟
优先权 ：
CN202210199467.8
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/00 H01L33/10 H01L33/12 H01L33/14
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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