一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片，GaN基LED外延片包括依次层叠的第一低温P型GaN子层、第二低温P型GaN子层以及第三低温P型GaN子层，第一低温P型GaN子层和第二低温P型GaN子层皆为重掺Mg的AlInGaN层，第三低温P型GaN子层为GaN层，其中，第一低温P型GaN子层中Al组分的浓度大于第二低温P型GaN子层中Al组分的浓度，第三低温P型GaN子层通过气氛由NH3/N2/H2渐变为NH3/N2，同时，温度逐渐升高的方式进行生长。通过本发明可以有效解决现有GaN基LED外延结构中，低温P型GaN层较难沿V型坑生长至底部，导致LED发光效率下降的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497306A
申请号 ：
CN202210392701.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-04-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程龙郑文杰曾家明高虹胡加辉
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
彭琰
优先权 ：
CN202210392701.9
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/02 H01L33/00
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20220415
申请日 : 20220415
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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