一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，LED外延片包括n型电流扩展层和p型电流扩展层，n型电流扩展层是由第一子层和第二子层交替生长而成的周期性结构，p型电流扩展层由第三子层和第四子层交替生长而成的周期性结构，其中，n型电流扩展层为掺杂Si的磷化铝镓铟层，p型电流扩展层为掺杂Mg的磷化镓层，第一子层中掺杂Si的浓度高于第二子层中掺杂Si的浓度，第三子层中掺杂Mg的浓度低于第四子层中掺杂Mg的浓度。本发明旨在解决现有技术中，电流扩展层恒定掺杂，导致芯片抗静电能力差的问题，而在电流扩展层中采用高低掺杂浓度的方式，便于更精确的控制掺杂浓度，可有效提高芯片的抗静电能力。
基本信息
专利标题 ：
一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420814A
申请号 ：
CN202210336305.4
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-04-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙建建牛群磊纪东曹敏姜湃孙彬耀陈铭胜
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘红伟
优先权 ：
CN202210336305.4
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/06 H01L33/00
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20220401
申请日 : 20220401
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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