外延基板的制造方法以及外延基板
公开
摘要
该外延基板的制造方法包括：使III族氮化物半导体层在基板上外延生长的工序；将基板从生长炉取出的工序；一边将III族氮化物半导体层的表面暴露于含氧的气氛，一边对表面照射紫外光的工序；以及测定III族氮化物半导体层的薄层电阻值的工序。
基本信息
专利标题 ：
外延基板的制造方法以及外延基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114631170A
申请号 ：
CN202080075393.6
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宫下耕平岸健米村卓巳
申请人 ：
住友电工光电子器件创新株式会社;住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县横滨市
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
吕琳
优先权 ：
CN202080075393.6
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 H01L21/268 H01L21/335 H01L21/66 H01L29/20 H01L29/778
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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