LED外延结构及其制造方法
公开
摘要
公开了一种LED外延结构，包括：硅衬底；缓冲结构，位于所述硅衬底上；外延层，位于所述缓冲结构上，所述外延层包括由下向上依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；其中，所述缓冲结构至少包括应变超晶格缓冲层，应变超晶格缓冲层分别与硅衬底以及第一半导体层的晶格匹配，应变超晶格缓冲层包括交替堆叠的磷化镓层和磷砷化镓层，磷化镓层与硅衬底的晶格匹配，磷砷化镓层与第一半导体层的晶格匹配。本发明还提供LED外延结构的制造方法，在硅衬底和外延层之间生长缓冲结构，该缓冲结构包括多层缓冲层，多层缓冲层的晶格常数从下至上大体上逐渐增大，缓解硅衬底与砷化镓外延层之间的晶格失配和热失配，提高LED芯片的性能。
基本信息
专利标题 ：
LED外延结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628556A
申请号 ：
CN202210247467.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赖玉财李森林毕京锋
申请人 ：
厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市海沧区兰英路99号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
岳丹丹
优先权 ：
CN202210247467.0
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/04 H01L33/30 H01L33/00
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
