SiC外延晶片、SiC外延晶片的制造方法、SiC器件以及...
授权
摘要
SiC衬底(1)具有偏角θ(°)。在SiC衬底(1)之上形成有膜厚Tm(μm)的SiC外延层(2)。在SiC外延层(2)的表面形成有三角缺陷(3)。将三角缺陷(3)中的向着衬底偏角方向的长度大于或等于Tm/Tanθ×0.9的三角缺陷的密度设为A，向着衬底偏角方向的长度比Tm/Tanθ×0.9短的三角缺陷的密度设为B，满足B/A≤0.5。
基本信息
专利标题 ：
SiC外延晶片、SiC外延晶片的制造方法、SiC器件以及电力变换装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110494600A
申请号 ：
CN201780089179.4
公开（公告）日 ：
2019-11-22
申请日 ：
2017-04-06
授权号 ：
CN110494600B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
滨野健一大野彰仁沟部卓真木村泰广三谷阳一郎
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何立波
优先权 ：
CN201780089179.4
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2019-12-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/36
申请日 : 20170406
申请日 : 20170406
2019-11-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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