外延晶片的制造方法及发光二极管的制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供了能够大幅度减少发生闸流管不良的外延晶片的制造方法及发光二极管的制造方法。在设置于液相外延生长装置内的p型GaAs衬底(1)上，依次液相外延生长p型GaAlAs活性层(2)、n型GaAlAs包覆层(3)，然后实施直接在液相外延生长装置内再度升温的热处理，制成外延晶片。外延生长后，通过再度升温的热处理，使得与p型GaAlAs活性层(2)之间的接合界面附近的n型GaAlAs包覆层(3)中所含有的碳的峰浓度下降，因此在组成界面附近不发生p型转变层，可以得到不产生闸流管不良的外延晶片。
基本信息
专利标题 ：
外延晶片的制造方法及发光二极管的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941434A
申请号 ：
CN200610001552.X
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2006-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柴田幸弥
申请人 ：
日立电线株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟晶
优先权 ：
CN200610001552.X
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2009-08-26 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
