本公开公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于光电子技术领域。该制造方法包括：提供一衬底；在衬底上依次生长缓冲层、n型AlGaN层、有源层、p型阻挡层；交替采用三甲基镓和三乙基镓作为镓源，在p型阻挡层上生长p型GaN层。三甲基镓作为镓源进行生长时，生长出来的表面平整度较低，有利于表面的粗化，可以减少光的全反射，提高光的散射，三乙基镓作为镓源进行生长时，生长形成的薄膜具有较高的晶体质量，有利于Mg的掺杂，能够提高空穴的浓度，有利于提高发光效率。通过减少光的全反射，提高光的散射和提高空穴的浓度，使得深紫外发光二极管的光提取效率在整体上得到增加。