发光二极管外延片及其制造方法
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摘要
本公开提供了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片的有源层包括多个周期交替生长的量子阱层和量子垒层，每个量子阱层均为AzGa1‑zN层，多个量子垒层中包括靠近N型层的多个第一类量子垒层和靠近P型层的多个第二类量子垒层，第一类量子垒层为AlmGa1‑mN层，z＜m，第二类量子垒层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层为AlxGa1‑xN层，第二子层为AlyGa1‑yN层，z＜x＜y，第三子层为AlN层。采用该发光二极管外延片可以提高量子垒层对载流子的限制能力，使得更多的载流子在量子阱层内复合，进而可以提高发光二极管的内量子发光效率。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112510124A
申请号 ：
CN202011294076.1
公开（公告）日 ：
2021-03-16
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
CN112510124B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
乔楠李昱桦刘源
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202011294076.1
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-04-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20201118
申请日 : 20201118
2021-03-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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