紫外发光二极管外延片及其制造方法
授权
摘要
本公开提供了一种紫外发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述紫外发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的AlGaN层、N型层、有源层和P型层，所述有源层包括多个周期交替生长的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为掺Si的AlxGa1‑xN层，0＜x＜0.4，所述量子垒层为掺Mg的AlyGa1‑yN层，0.5＜y＜0.7。该紫外发光二极管外延片可以效屏蔽量子阱层中由于极化效应产生的内建电场，从而可以提高电子和空穴的波函数重叠率，进而可以提高电子和空穴的辐射复合效率，最终提高紫外发光二极管的内量子效率。
基本信息
专利标题 ：
紫外发光二极管外延片及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112366258A
申请号 ：
CN202011055212.1
公开（公告）日 ：
2021-02-12
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
CN112366258B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
丁杰秦双娇梅劲陆香花
申请人 ：
华灿光电（浙江）有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202011055212.1
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-03-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20200929
申请日 : 20200929
2021-02-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
