紫外发光二极管外延片及其制造方法
授权
摘要
本公开提供了一种紫外发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述紫外发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的AlGaN层、N型层、有源层和P型层，所述紫外发光二极管还包括设置在所述有源层和所述P型层之间的电子限制层，所述电子限制层为AlGaN/MgN/InAlGaN/MgN/AlN层。该紫外发光二极管外延片可以提高电子和空穴的辐射复合效率，从而提高紫外发光二极管的内量子效率。
基本信息
专利标题 ：
紫外发光二极管外延片及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113161457A
申请号 ：
CN202110103265.4
公开（公告）日 ：
2021-07-23
申请日 ：
2021-01-26
授权号 ：
CN113161457B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
乔楠李昱桦刘源
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202110103265.4
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/06 H01L33/12 H01L33/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-08-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20210126
申请日 : 20210126
2021-07-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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