发光二极管外延片及其制造方法和发光二极管
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种发光二极管外延片及其制造方法和发光二极管，包括：沿第一方向依次层叠设置的第一半导体层，量子阱结构和第二半导体层；量子阱结构包括多组沿第一方向依次层叠设置的量子阱层，AlN插入层和量子垒层。通过在量子阱结构中的量子阱层和量子垒层中插入AlN插入层。可以提高量子阱结构的晶体界面质量，减少发光二极管外延片内部的合金散射，以提高光提取效率；还可以提高发光二极管外延片的载流子的迁移能力，提高紫外发光二极管外延片的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片及其制造方法和发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335270A
申请号 ：
CN202111612450.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡加辉刘春杨金从龙顾伟
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
李晨幼
优先权 ：
CN202111612450.2
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/00 H01L33/14 H01L33/32
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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