发光二极管外延片及其制造方法
授权
摘要
本公开提供了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层和有源层，所述发光二极管外延片还包括依次层叠在所述有源层上的多个周期交替生长的电子阻挡层和P型层，每个所述电子阻挡层均为AlGaN层，沿所述外延片的层叠方向，每个周期的所述电子阻挡层中的Al组分逐渐降低，厚度逐渐减小，每个周期的所述P型层中的Mg的掺杂浓度逐渐升高。该发光二极管外延片可以增加电子和空穴的波函数在空间分布上的重叠度，从而可以提高LED的内量子效率。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113161453A
申请号 ：
CN202110104662.3
公开（公告）日 ：
2021-07-23
申请日 ：
2021-01-26
授权号 ：
CN113161453B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
姚振从颖董彬忠李鹏
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202110104662.3
主分类号 ：
H01L33/02
IPC分类号 ：
H01L33/02 H01L33/12 H01L33/14 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-08-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/02
申请日 : 20210126
申请日 : 20210126
2021-07-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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