发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片
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摘要
本公开提供了一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。生长方法包括：将衬底放入反应室内；在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；有源层由交替层叠的多个InGaN阱层和多个垒层组成，每个垒层由依次层叠的多个复合层组成，每个复合层采用如下方式生长：向反应室内通入In源和载气，使In源分布在反应室内的所有区域；向反应室室内通入In源、Ga源、氨气和载气，生长InGaN垒层；向反应室内通入Ga源、氨气和载气，生长GaN垒层，GaN垒层的生长速率大于InGaN垒层的生长速率。本公开可有效减小EQE达到峰值所需的电流密度。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110993748A
申请号 ：
CN201911198565.4
公开（公告）日 ：
2020-04-10
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN110993748B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
从颖姚振胡加辉
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN201911198565.4
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L21/02 H01L33/06 H01L33/32
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-05-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20191129
申请日 : 20191129
2020-04-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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