发光二极管外延片的生长方法
授权
摘要
本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法，属于发光二极管领域。所述方法包括：基于外延片制备设备制备的第一外延片之间的性能差异，分别确定所述外延片制备设备中各个石墨盘的加热温度，单个所述石墨盘用于放置至少一外延片的衬底，在制备所述第一外延片时，各个所述石墨盘的加热温度均为目标温度；在所述外延片制备设备制备第二外延片时，分别调整各个所述石墨盘的实际加热温度为相应的确定的加热温度。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片的生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110246780A
申请号 ：
CN201910334329.4
公开（公告）日 ：
2019-09-17
申请日 ：
2019-04-24
授权号 ：
CN110246780B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
乔楠李昱桦刘旺平张志刚胡加辉李鹏
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
徐立
优先权 ：
CN201910334329.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02 H01L33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-10-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20190424
申请日 : 20190424
2019-09-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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