发光二极管外延片及其生长方法
授权
摘要
本公开提供了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的氮化镓缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层，所述多量子阱层是采用分子束外延法制备而成的，所述发光二极管外延片还包括设置在所述N型半导体层和所述多量子阱层之间的SiO2薄膜层，所述多量子阱层压印在所述SiO2薄膜层上，且部分所述多量子阱层穿过所述SiO2薄膜层与所述N型半导体层接触。该外延片可以保证外延片的波长一致性，保证发光二极管的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片及其生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113013299A
申请号 ：
CN202110108063.9
公开（公告）日 ：
2021-06-22
申请日 ：
2021-01-27
授权号 ：
CN113013299B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
王群郭炳磊葛永晖董彬忠李鹏
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202110108063.9
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/00
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-07-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20210127
申请日 : 20210127
2021-06-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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