发光二极管外延片的生长方法
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摘要
本公开提供了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长N型层、有源层和P型层，所述有源层包括多个周期交替生长的InGaN量子阱层和GaN量子垒层；其中，生长所述有源层的各层InGaN量子阱层时，向反应室内低速通入氨气，并控制所述反应室内通入的氨气的流量先逐渐增加再逐渐减少。该生长方法可以增加InGaN量子阱层中量子点的形成，从而大大降低了电子和空穴发生非辐射复合的概率，进而可以提高LED的内量子发光效率。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片的生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113113515A
申请号 ：
CN202110213538.0
公开（公告）日 ：
2021-07-13
申请日 ：
2021-02-25
授权号 ：
CN113113515B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
姚振从颖董彬忠李鹏
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202110213538.0
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/06
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-07-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20210225
申请日 : 20210225
2021-07-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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