发光二极管用外延晶片
专利权的终止
摘要
通过将液相外延法中所使用的衬底的面内的位错密度最大值设定在适当范围内，提供了价格低且结晶性良好的高质量的外延晶片。在使用晶舟法在GaAs衬底3上液相外延生长的具有叠层结构(单异质结构、双异质结构、双异质结构·除去衬底型中的任一种)的LED用外延晶片中，规定上述GaAs衬底3的面内的位错密度的最大值为5,000～22,000个/cm2的范围。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管用外延晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819285A
申请号 ：
CN200510097592.4
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小森洋介
申请人 ：
日立电线株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟晶
优先权 ：
CN200510097592.4
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
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法律状态
2013-02-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101402336764
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005100975924
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20080130
终止日期 : 20111230
号牌文件序号 : 101402336764
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005100975924
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20080130
终止日期 : 20111230
2008-01-30 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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