发光二极管外延片、发光二极管、显示装置

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摘要

本实用新型提供了发光二极管外延片、发光二极管、显示装置，包括衬底、及依次层叠于所述衬底上表面的第一型导电层、有源层和第二型导电层，所述有源层包括n个依次堆叠的周期单元，所述周期单元包括量子垒层、量子阱层及设置在所述量子阱层的至少一表面的界面调节层；所述界面调节层包括Te掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族化合物层。使所述界面调节层、量子阱层的金属原子与Te元素通过键合形成晶体结构，能够有效地钝化量子阱层表面、减少其表面缺陷，从而减小量子垒层与量子阱层之间的晶格失配。其次，能使所述量子阱层表面的宽度增加，使更多的载流子被俘获到量子阱层内，提升辐射复合效率，从提高发光二极管的亮度。

基本信息

专利标题：

发光二极管外延片、发光二极管、显示装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921278817.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-08

授权号：

CN210182401U

授权日：

2020-03-24

发明人：

林志伟陈凯轩曲晓东赵斌蔡建九

申请人：

厦门乾照半导体科技有限公司

申请人地址：

福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路267号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201921278817.X

主分类号：

H01L33/06

IPC分类号：

H01L33/06 H01L33/30 H01L33/00 H01L33/32