高亮度发光二极管外延片
授权
摘要
本实用新型涉及高亮度发光二极管外延片，包括衬底以及依次位于其上的低温氮化物缓冲层、非掺杂氮化物层、n型氮化物层、MO应力释放氮化物层、发光层、低温p型层、电子阻挡层、p型氮化物层；本实用新型通过TMG源粗体生长MO应力释放层，为后续发光层的生长提供应力释放，提升发光层的生长质量，降低大尺寸GaN层生长龟裂，提升发光二极管亮度。
基本信息
专利标题 ：
高亮度发光二极管外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020405948.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-26
授权号 ：
CN211507668U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
闫其昂沈蔚范光华邢怀勇杨敏
申请人 ：
江苏南大光电材料股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区平胜路67号
代理机构 ：
江苏圣典律师事务所
代理人 ：
王玉国
优先权 ：
CN202020405948.6
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/12 H01L33/14 H01L33/32 H01L33/00 C23C16/455 C23C16/30
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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