发光二极管外延片及发光二极管
授权
摘要
本实用新型提供一种发光二极管外延片及发光二极管，其中，发光二极管外延片包括：衬底以及在衬底上生长的缓冲层，所述缓冲层的上表面具有局部沉陷区。本实用新型实施例提供的发光二极管外延片及发光二极管，可减小衬底在生长过程中的翘曲，提升外延片的波长均匀性等参数。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片及发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123387111.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
CN216528933U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
康建焦建军陈向东
申请人 ：
圆融光电科技股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱颖
优先权 ：
CN202123387111.7
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/20 H01L33/06
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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