外延结构及发光二极管
授权
摘要
本实用新型涉及一种外延结构及发光二极管。外延结构包括：复合衬底以及外延层。复合衬底包括基底以及设置于基底一侧的粘附反射层。外延层通过粘附反射层与基底连接。其中，粘附反射层用于反射外延层传输至复合衬底一侧的光线。上述外延结构可以有效提高发光二极管的发光强度。
基本信息
专利标题 ：
外延结构及发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220117895.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
CN216563130U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
李兵兵黄兆斌黄国栋
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
成亚婷
优先权 ：
CN202220117895.7
主分类号 ：
H01L27/15
IPC分类号 ：
H01L27/15 H01L33/06 H01L33/14 H01L33/46 H01L33/12
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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