一种紫外发光二极管外延结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种紫外发光二极管外延结构，所述外延结构包括依次设于衬底上的AlN层、N型AlGaN层、有源层、P型超晶格阻挡层和P型GaN层，所述P型超晶格阻挡层由第一非掺杂层、第一Mg层、第二非掺杂层和第二Mg层交替形成，第一非掺杂层中Al的含量与第二非掺杂层中Al的含量不等。本实用新型在有源层和P型GaN层之间设置一层P型超晶格阻挡层，不仅起到阻挡电流，提高电流扩展的作用，还可以提高P型GaN层的空穴浓度及其迁移率，为有源层提供更多的空穴‑电子对，提高复合几率，提升亮度，从而提高外延结构的光电性能。
基本信息
专利标题 ：
一种紫外发光二极管外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921197372.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-26
授权号 ：
CN210156417U
授权日 ：
2020-03-17
发明人 ：
农明涛庄家铭贺卫群郭嘉杰
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201921197372.2
主分类号 ：
H01L33/32
IPC分类号 ：
H01L33/32 H01L33/04 H01L33/14 H01L33/44 H01L33/00
法律状态
2020-03-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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