发光二极管、外延结构及其制作方法
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摘要
本发明涉及一种发光二极管、外延结构及其制作方法。该发光二极管外延结构，通过设置量子阱准备层，且量子阱准备层包括第一交替生长层和第二交替生长层，均通过氮化镓和氮化铟镓交替生长，从而有效的改善了高铟组分下氮化铟镓量子阱的晶体质量，提升了发光效率，并进一步改善了光分布的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管、外延结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113451459A
申请号 ：
CN202011206053.0
公开（公告）日 ：
2021-09-28
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
CN113451459B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
翟小林杨顺贵刘勇兴黎力张海林
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）
代理机构 ：
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
李发兵
优先权 ：
CN202011206053.0
主分类号 ：
H01L33/04
IPC分类号 ：
H01L33/04 H01L33/00 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-10-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/04
申请日 : 20201102
申请日 : 20201102
2021-09-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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