微型发光二极管外延片、显示阵列及其制作方法
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摘要
本公开提供了一种微型发光二极管外延片、显示阵列及其制作方法，属于半导体技术领域。包括：在基板上依次形成驱动电路和绝缘层，绝缘层为混有金刚石颗粒的SOG层；在绝缘层上开设延伸至驱动电路的通孔，并在通孔内填充导电材料；在绝缘层上间隔设置多个半导体器件并加热，每个半导体器件包括依次层叠在绝缘层上的P型电极、空穴产生层、有源层、电子产生层、缓冲层和蓝宝石衬底，多个半导体器件中的P型电极分别通过导电材料与驱动电路电连接；采用激光剥离的方式去除多个半导体器件中的蓝宝石衬底，采用干法刻蚀的方式去除缓冲层，并在电子产生层上设置N型电极。本公开有利于散热。
基本信息
专利标题 ：
微型发光二极管外延片、显示阵列及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111180478A
申请号 ：
CN201911364394.8
公开（公告）日 ：
2020-05-19
申请日 ：
2019-12-26
授权号 ：
CN111180478B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
兰叶吴志浩李鹏
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN201911364394.8
主分类号 ：
H01L27/15
IPC分类号 ：
H01L27/15 H01L33/00 H01L33/20
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-06-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/15
申请日 : 20191226
申请日 : 20191226
2020-05-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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