微型发光二极管外延片、显示阵列及其制作方法
授权
摘要
本公开提供了一种微型发光二极管外延片、显示阵列及其制作方法,属于半导体技术领域。制作方法包括:提供半导体器件,半导体器件包括衬底和在衬底的第一表面上间隔设置的多个发光单元,衬底的第一表面上两点之间的最大距离为0.2mm~1mm;将半导体器件转移到电路板上,每个发光单元中的P型电极键合在电路板的第一表面上;依次去除衬底和每个发光单元中的缓冲层,并在每个发光单元中的电子产生层上设置N型电极,形成发出第一颜色光线的芯片;分别在不同的芯片上设置第一荧光粉层和第二荧光粉层,第一荧光粉层将第一颜色光线转换为第二颜色光线,第二荧光粉层将第一颜色光线转换为第三颜色光线。本公开可转移Micro LED芯片。
基本信息
专利标题 :
微型发光二极管外延片、显示阵列及其制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111180379A
申请号 :
CN201911367573.7
公开(公告)日 :
2020-05-19
申请日 :
2019-12-26
授权号 :
CN111180379B
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
兰叶吴志浩李鹏
申请人 :
华灿光电(苏州)有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路
代理机构 :
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
吕耀萍
优先权 :
CN201911367573.7
主分类号 :
H01L21/683
IPC分类号 :
H01L21/683 H01L33/00 H01L33/62 H01L33/06 H01L33/32 B82Y40/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-05-13 :
授权
2020-06-12 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20191226
申请日 : 20191226
2020-05-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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