一种紫外发光二极管外延结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种紫外发光二极管外延结构，包括依次设于衬底上的AlN层、过渡层、N型AlGaN(0.01＜z＜0.99)层、有源层、阻挡层和P型AlGaN层，所述过渡层由若干个周期的AlN/AlGaN(0.01＜u＜0.99)超晶格结构组成。本实用新型通过在AlN层和N型AlGaN层之间形成一层过渡层，以将晶格失配产生的应力在过渡层逐步释放，从而避免AlN层发生龟裂问题，AlN层的质量得到提升，位错和缺陷会大幅减少，从而提升外延结构的晶体质量，进而改善发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种紫外发光二极管外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921032380.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-03
授权号 ：
CN210156413U
授权日 ：
2020-03-17
发明人 ：
农明涛庄家铭贺卫群郭嘉杰仇美懿
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201921032380.1
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/04 H01L33/06 H01L33/00
法律状态
2020-03-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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