具有高亮度高发光效率的外延生长结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有高亮度高发光效率的外延生长结构，涉及半导体技术领域，目的在于提供一种反射光亮，提高光提取率，减少材料使用，降低成本的具有高亮度高发光效率的外延生长结构，其技术要点是包括衬底，所述衬底的顶面设有连接部，所述连接部的内部中空，且连接部的顶面水平并生长有延伸片，技术效果是通过在衬底的顶部设置连接部，其内部中空设置，使得二极管器件通电工作时产生的亮光向延伸片的下方射出后，被连接部的壁面和衬底的顶面反射，从而提高光的提取率，同时连接部的设置，可降低衬底的厚度，既保证了发光率，又节省了结构使用的硅晶体材料，降低成本。
基本信息
专利标题 ：
具有高亮度高发光效率的外延生长结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122603922.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-27
授权号 ：
CN216213532U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
徐鹏飞王文知王岩罗帅季海铭
申请人 ：
江苏华兴激光科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧
代理机构 ：
江苏长德知识产权代理有限公司
代理人 ：
詹朝
优先权 ：
CN202122603922.X
主分类号 ：
H01L33/60
IPC分类号 ：
H01L33/60 H01L33/48
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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