提高发光效率的紫外发光二极管外延片制备方法
公开
摘要
本公开提供了一种提高发光效率的紫外发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管技术领域。在n型AlGaN层上生长至少一个阱垒单元以得到发光层，阱垒单元包括AlGaN垒层与层叠在AlGaN垒层上且相互间隔的AlGaN量子点。AlGaN量子点的结构具有三维量子限制效应，提高发光效率。先在n型AlGaN层或阱垒单元上生长一层AlGaN垒层；在AlGaN垒层上沉积1～5nm的AlN材料层。对AlN材料层进行退火以使AlN材料层的表面具有多个凸起的岛状结构，释放应力。最后向反应腔通入镓源与氨气以与多个岛状结构反应生成多个质量较好且成形较快的AlGaN量子点，可以促进发光效率的同时提高发光层的成形效率。
基本信息
专利标题 ：
提高发光效率的紫外发光二极管外延片制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583029A
申请号 ：
CN202210041928.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龚程成易丁丁张琰琰陆香花
申请人 ：
华灿光电（浙江）有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202210041928.9
主分类号 ：
H01L33/22
IPC分类号 ：
H01L33/22 H01L33/06 H01L33/00
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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