提高载流子注入效率的GaN基LED外延结构及其生长方法
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摘要
本发明公开了一种提高载流子注入效率的GaN基LED外延结构及其生长方法，该发光层由势垒层和量子阱层交替构成，其中按生长顺序，最后一层势垒层采用Al组分即x值从0至0.15渐变的AlxGa1‑xN势垒层，其它势垒层为GaN势垒层，子阱层采用InyGa1‑yN量子阱层，y为0.1~0.3。本发明去除生长AlGaN电子阻挡层，能够减少p型Mg掺杂AlGaN带来的空穴势垒的提高，同时减少生长AlGaN时带来的严重的晶格缺陷和较大应力，以及其高温生长条件对发光层结构的高温损伤，提高芯片质量，采用Al组分渐变的AlxGa1‑xN最后一层势垒层，依然能实现有效提高电子势垒的作用，同时还能有效地降低空穴势垒，不但抑制了电子泄漏还进一步提高了空穴注入能力，从而提高了发光层中有效辐射复合速率，提高了GaN基LED的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
提高载流子注入效率的GaN基LED外延结构及其生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112436081A
申请号 ：
CN202011195588.2
公开（公告）日 ：
2021-03-02
申请日 ：
2020-10-31
授权号 ：
CN112436081B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
程立文李侦伟林星宇曾祥华杨达
申请人 ：
扬州大学
申请人地址 ：
江苏省扬州市大学南路88号
代理机构 ：
南京理工大学专利中心
代理人 ：
邹伟红
优先权 ：
CN202011195588.2
主分类号 ：
H01L33/32
IPC分类号 ：
H01L33/32 H01L33/06 H01L33/12 H01L33/14 H01L33/00 B82Y40/00
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-03-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/32
申请日 : 20201031
申请日 : 20201031
2021-03-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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