改善热载流子注入的NMOS的形成方法
授权
摘要
本发明提供了一种改善热载流子注入的NMOS的形成方法，包括：提供衬底，在衬底内形成P型阱区；在P型阱区上形成栅极以及位于栅极两侧的侧墙；以侧墙为掩膜，向栅极的两侧的P型阱区内进行N型离子注入，以分别形成源区和漏区；以侧墙为掩膜，分别向源区和漏区下方的P型阱区进行N型离子注入，以形成LDD区；以侧墙为掩膜，向源区和LDD区之间的P型阱区以及在漏区和LDD区之间的P型阱区进行P型离子注入，以形成P型离子区。形成P型离子区可以缓冲源区或漏区到LDD的浓度梯度，以改善热载流子的注入，同时，本发明的LDD区可以选择使用源区和漏区的光罩跟着源区和漏区一起形成，减少了形成LDD区的光罩，节约成本。
基本信息
专利标题 ：
改善热载流子注入的NMOS的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114038758A
申请号 ：
CN202210012683.7
公开（公告）日 ：
2022-02-11
申请日 ：
2022-01-07
授权号 ：
CN114038758B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
高沛雄江丰顺张森王永吴哲佳
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区中新知识城凤凰五路28号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
冯启正
优先权 ：
CN202210012683.7
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/266
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2022-03-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20220107
申请日 : 20220107
2022-02-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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