优化注入条件以使沟道效应最小化的方法及其形成的结构
发明专利申请公布后的驳回
摘要
描述了形成微电子结构的方法。这些方法包括：利用第一能量将第一浓度的材料注入到有源区中，其中所述材料预先损伤有源区的一部分；以及然后利用第二能量将第二浓度的材料注入到有源区中，其中总浓度的材料基本不会渗透处在下方的沟道区。
基本信息
专利标题 ：
优化注入条件以使沟道效应最小化的方法及其形成的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101032010A
申请号 ：
CN200580032748.9
公开（公告）日 ：
2007-09-05
申请日 ：
2005-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
普什卡尔·拉纳德阿龙·里卡克桑贾伊·纳塔拉詹杰勒德·齐茨何塞·马伊斯
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王英
优先权 ：
CN200580032748.9
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/265 H01L21/28 H01L21/285
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-12-02 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-10-31 ：
实质审查的生效
2007-09-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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