本申请公开了一种离子注入装置和离子注入方法。该离子注入装置包括：反应腔室；气体供应源，连接至所述反应腔室，向所述反应腔室内通入待电离气体；承载台，位于所述反应腔室底部，用于承载晶片；第一电极，位于所述承载台上，连接第一电源，所述晶片位于所述第一电极上；第二电极，位于所述晶片上方，连接第二电源，与所述第一电极之间产生离子束；磁场产生体，位于所述第一电极或所述承载台之上，用于在所述晶片周边产生磁场，通过调节所述磁场产生体产生的磁场大小来改变所述离子束照射在所述晶片上的角度。从而在对具有通道孔的晶片进行离子注入时，可以使离子束直接沿倾斜角度注入底部而不损伤侧壁。