离子注入掺杂区域平面显示方法
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
本发明是对半导体器件、电路芯片表面进行处理分析的重要方法。该方法是针对离子注入掺杂后，在芯片上不留任何痕迹这一困难而提出来的。它包括样品制备、显示液配方及操作程序三方面内容。该方法显示的成功率达100％。具有适用范围广、对环境温度要求不高、无需添置专用显示设备，能同时显示图形与掺杂区深度等优点。
基本信息
专利标题 ：
离子注入掺杂区域平面显示方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1036295A
申请号 ：
CN88101821.X
公开（公告）日 ：
1989-10-11
申请日 ：
1988-03-30
授权号 ：
CN1008033B
授权日 ：
1990-05-16
发明人 ：
吴苏华
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市邯郸路220号
代理机构 ：
复旦大学专利事务所
代理人 ：
王福新
优先权 ：
CN88101821.X
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/30 H01L21/66 H01L21/70
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
1992-08-26 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1991-01-16 ：
授权
1990-05-16 ：
审定
1989-10-11 ：
公开
1989-03-22 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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