多重掩模和制造不同掺杂区域的方法
授权
摘要
本发明的目的是利用单掩模(DM)提供一种在衬底(S)上制造不同掺杂区域(DG)的方法和器件。为此目的，提供了包括各自细长掩模开口(MO)的不同掩模区域，所述掩模开口相对于倾斜注入的空间方向而不同地排列。在第一和第二倾斜注入之间，旋转衬底，由此在第一倾斜注入中得到在不同掩模区域中相反的最大和最小遮蔽，并且一旦旋转衬底，则反转第二倾斜注入中的上述关系。
基本信息
专利标题 ：
多重掩模和制造不同掺杂区域的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101069269A
申请号 ：
CN200580041475.4
公开（公告）日 ：
2007-11-07
申请日 ：
2005-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马丁·克奈普雷纳·米尼克斯霍弗马丁·施雷姆斯
申请人 ：
奥地利微系统股份有限公司
申请人地址 ：
奥地利翁特普雷姆施塔滕
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾晋伟
优先权 ：
CN200580041475.4
主分类号 ：
H01L21/266
IPC分类号 ：
H01L21/266
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
H01L21/266
应用掩膜的
法律状态
2009-04-29 ：
授权
2008-01-02 ：
实质审查的生效
2007-11-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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