光掩模及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种光掩模及其方法。在示例方法中，该光掩模可以通过以下步骤制造：在表面上形成氧化物层；构图所述氧化物层以形成氧化物图案，所述氧化物图案包括多个氧化物图案主体和多个氧化物窗口；用吸收剂填充所述多个氧化物窗口以形成吸收剂图案；以及减少所述多个氧化物图案主体。示例的光掩模可以包括基于氧化物图案的吸收剂图案，其包括多个吸收剂图案主体和多个吸收剂图案窗口。
基本信息
专利标题 ：
光掩模及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1821868A
申请号 ：
CN200610008641.7
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-02-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金元柱宋利宪金锡必张丞爀柳元壹金勳
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610008641.7
主分类号 ：
G03F1/00
IPC分类号 ：
G03F1/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
法律状态
2010-07-21 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003370300
IPC(主分类) : G03F 1/00
专利申请号 : 2006100086417
公开日 : 20060823
号牌文件序号 : 101003370300
IPC(主分类) : G03F 1/00
专利申请号 : 2006100086417
公开日 : 20060823
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1821868A.PDF
PDF下载
