一种离子注入方法、离子注入设备以及形成轻掺杂源漏区的方法
实质审查的生效
摘要
本公开的实施例提供一种离子注入方法、离子注入设备以及形成轻掺杂源漏区的方法，所述离子注入方法包括：产生离子束，所述离子束适于向电子萃取电场运动；向所述离子束中提供电子以进行电荷中和，所述电子的量与所述离子束中离子的束流大小相关。通过本公开的实施例所述的方法，使更多电子进入离子束并中和其相应的正电荷，避免了由于正电荷过量在晶圆产生缺陷。
基本信息
专利标题 ：
一种离子注入方法、离子注入设备以及形成轻掺杂源漏区的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373675A
申请号 ：
CN202210013171.2
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2022-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘元亚张家瑞李小康蒋辉魏炯
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
骆苏华
优先权 ：
CN202210013171.2
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01L29/417 H01J37/317
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/265
申请日 : 20220106
申请日 : 20220106
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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