一种离子注入设备
专利权的终止
摘要

本实用新型涉及一种离子注入设备。现有的离子注入设备因通过电磁驱动装置驱动离子束水平运动,而存在离子注入设备体积过大及成本过高的问题。本实用新型的离子注入设备,其包括底座、离子束产生装置、基座、晶圆台和晶圆台驱动装置,其中,该晶圆台驱动装置包括垂直运动驱动装置和转动驱动装置,该转动驱动装置配合垂直运动驱动装置驱动晶圆台运动使该离子束产生装置发射的离子束可注入至放置在晶圆台上的晶圆面上的任一点。采用本实用新型能避免使用电磁驱动装置驱动离子束水平运动而造成的离子注入设备过大及成本过高的问题。

基本信息
专利标题 :
一种离子注入设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620048877.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-12-13
授权号 :
CN200986914Y
授权日 :
2007-12-05
发明人 :
秦宏志钱吴全蔡国辉李伟
申请人 :
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 :
201203上海市张江路18号
代理机构 :
上海智信专利代理有限公司
代理人 :
王洁
优先权 :
CN200620048877.9
主分类号 :
H01L21/265
IPC分类号 :
H01L21/265  H01L21/425  H01J37/317  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2017-01-25 :
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101700186371
IPC(主分类) : H01L 21/265
专利号 : ZL2006200488779
申请日 : 20061213
授权公告日 : 20071205
终止日期 : 无
2013-03-20 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101540396048
IPC(主分类) : H01L 21/265
专利号 : ZL2006200488779
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 100176 北京经济技术开发区文昌大道18号
登记生效日 : 20130220
2007-12-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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