离子注入半导体瞬时退火设备
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本发明为离子注入半导体瞬时退火设备，属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高(每小时六十片以上)。退火后电激活率高，注入离子再扩散小。本发明既适合于制作1μm短沟超大规模集成电路和浅PN结(结深为0.2μm)器件，又适合于离子注入化合物半导体退火。本发明还能用于绝缘层上多晶硅再结晶、磷硅玻璃回流、难熔金属硅化物形成和浅PN结的欧姆结制作。
基本信息
专利标题 ：
离子注入半导体瞬时退火设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100131A
申请号 ：
CN85100131.9
公开（公告）日 ：
1986-07-23
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85100131B
授权日 ：
1987-02-25
发明人 ：
钱佩信侯东彦陈必贤马腾阁林惠旺李志坚
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
清华大学专利事务所
代理人 ：
廖元秋
优先权 ：
CN85100131.9
主分类号 ：
H01L21/324
IPC分类号 ：
H01L21/324
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/324
用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结
法律状态
2000-11-22 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1987-09-02 ：
授权
1987-02-25 ：
审定
1986-07-23 ：
公开
1985-09-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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