半导体激光退火的预热装置和半导体激光退火设备
授权
摘要
该实用新型提供了一种半导体激光退火的预热装置和半导体激光退火设备，所述预热装置包括：可承载待预热晶圆、并对待预热晶圆进行预热的预热板，预热板包括承载待预热晶圆的承载面，承载面的中心区域具有出气孔；预热板内还具有多个容纳孔，容纳孔的开口位于承载面上；多个晶圆支撑组件，晶圆支撑组件对应设置在容纳孔内，且晶圆支撑组件可伸出容纳孔或缩回容纳孔内，将待预热晶圆抬离承载面或落放至承载面；气体输送单元，气体输送单元与出气孔相连通。根据本实用新型实施例的半导体激光退火的预热装置，能够避免晶圆预热时温度的急剧变化且使得晶圆受热均匀，提高晶圆良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光退火的预热装置和半导体激光退火设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122761229.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-11
授权号 ：
CN216749811U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
赵志远
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN202122761229.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/268 H01L21/324
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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