半导体设备及其加热装置
授权
摘要
本实用新型公开一种半导体设备及其加热装置。该加热装置包括：加热部；所述加热部包括用于与所述挡板相抵接的壳体以及设置在所述壳体内的电热丝；其中，所述加热装置能将所述挡板加热至预设温度，所述预设温度大于或等于100℃。加热装置对挡板进行加热可以延长挡板的清洗周期，降低了薄膜制备设备的维护成本，提高了薄膜制备设备的运行效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体设备及其加热装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921117659.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-16
授权号 ：
CN210015841U
授权日 ：
2020-02-04
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙威壮
优先权 ：
CN201921117659.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-02-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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