一种半导体加工设备的辅助加热器
授权
摘要
本实用新型公开一种半导体加工设备的辅助加热器，所公开的辅助加热器包括绝缘壳体、绝缘支撑管(120)和抗氧化电阻丝(130)；其中：抗氧化电阻丝(130)至少部分缠绕于绝缘支撑管(120)的外周，且在绝缘支撑管(120)上形成加热区，绝缘壳体具有容纳空间，加热区和绝缘支撑管(120)均设置于容纳空间中，抗氧化电阻丝(130)的两端延伸至容纳空间之外。上述方案能够解决辅助加热器使用寿命较短以及故障率较高的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体加工设备的辅助加热器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020688618.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-29
授权号 ：
CN212316243U
授权日 ：
2021-01-08
发明人 ：
郝晓明郑建宇侯鹏飞赵福平
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京国昊天诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
施敬勃
优先权 ：
CN202020688618.2
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 H05B3/00 H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2021-01-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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