半导体加工设备中的加热装置及半导体加工设备
授权
摘要
本发明实施例提供一种半导体加工设备中的加热装置及半导体加工设备，该加热装置设置在半导体加工设备的传输腔室中，且包括动力机构、执行机构和发热机构，其中，执行机构分别与动力机构和发热机构连接，动力机构用于驱动执行机构带动发热机构摆动；发热机构在摆动过程中朝向传输腔室中的传输部件的不同位置，用于向该传输部件的不同位置传递热量。本发明实施例提供的加热装置，可以对传输腔室中的传输部件进行加热，尤其可以应用于对传输腔室中的机械手手指进行预热，从而可以避免机械手中的电子元器件因受到高温烘烤而损坏。
基本信息
专利标题 ：
半导体加工设备中的加热装置及半导体加工设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113161262A
申请号 ：
CN202110235086.6
公开（公告）日 ：
2021-07-23
申请日 ：
2021-03-03
授权号 ：
CN113161262B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
仲光宇
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN202110235086.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677 C23C16/458 C23C16/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-08-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20210303
申请日 : 20210303
2021-07-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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