一种加热片及其制造方法、加热带及半导体制造设备
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种加热片及其制造方法、加热带及半导体制造设备，涉及半导体设备技术领域，以解决加热带中加热线偏移预设位置造成的短路以及发热不均匀的问题。所述加热片包括：第一绝缘薄膜、沉积形成在第一绝缘薄膜上的电热线结构以及第二绝缘薄膜；第二绝缘薄膜形成在第一绝缘薄膜上，用于至少将电热线结构中的间隙进行填充。
基本信息
专利标题 ：
一种加热片及其制造方法、加热带及半导体制造设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114521031A
申请号 ：
CN202011299218.3
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金根浩周娜李俊杰王佳李琳
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京知迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
王胜利
优先权 ：
CN202011299218.3
主分类号 ：
H05B3/20
IPC分类号 ：
H05B3/20 H05B3/36 H05B3/28 H01L21/67
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H05B 3/20
申请日 : 20201118
申请日 : 20201118
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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