成像设备、制造方法、半导体设备和电子设备

授权

摘要

本公开涉及可以进一步提高图像质量的成像设备、制造方法、半导体设备和电子设备。一种成像设备包括光电转换单元，其接收光并对其进行光电转换；浮动扩散层，其聚集由所述光电转换单元产生的电荷；和扩散层，其充当晶体管的源极或漏极。然后，该浮动扩散层形成为具有比该扩散层的杂质浓度更低的杂质浓度。另外，在一个像素中同时设置第一光电转换单元和第二光电转换单元作为所述光电转换单元，所述第一光电转换单元能够聚集通过所述光电转换产生的电荷，通过所述光电转换产生的电荷被顺序地从所述第二光电转换单元取出并聚集在所述浮动扩散层中，并且该第一光电转换单元和该第二光电转换单元布置在沿光的照射方向上纵向的线上。本技术可以应用于例如背照式CMOS图像传感器。

基本信息

专利标题：

成像设备、制造方法、半导体设备和电子设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107851649A

申请号：

CN201680040918.6

公开（公告）日：

2018-03-27

申请日：

2016-07-01

授权号：

CN107851649B

授权日：

2022-05-13

发明人：

中村良助古闲史彦

申请人：

索尼半导体解决方案公司

申请人地址：

日本国神奈川县厚木市朝日町4-14-1

代理机构：

北京正理专利代理有限公司

代理人：

张雪梅

优先权：

CN201680040918.6

主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

H01L27/146 H04N5/369 H04N5/374