半导体复合装置及其制造方法、LED头以及成像装置
专利申请权、专利权的转移
摘要
一种半导体复合装置，它包括半导体薄膜层(105，501，806)以及基板(101，503，801)。半导体薄膜层(105，501，806)和基板被形成在半导体薄膜层与基板之间的高熔点金属和低熔点金属的合金层(121+122，511+512，911+912)彼此键合。此合金的熔点高于低熔点金属(104，404，804)的熔点。合金层(121+122，511+512，911+912)包含低熔点金属(104，404，804)与所述半导体薄膜层(105，501，806)的材料反应产生的产物(122，511，912)。
基本信息
专利标题 ：
半导体复合装置及其制造方法、LED头以及成像装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790682A
申请号 ：
CN200510119444.8
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
荻原光彦藤原博之铃木贵人佐久田昌明安孙子一松
申请人 ：
冲数据株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张雪梅
优先权 ：
CN200510119444.8
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L33/00 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2022-04-15 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/00
登记生效日 : 20220401
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 日本冲信息株式会社
变更后权利人 : 冲电气工业株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京港区虎之门１丁目７番１２号
登记生效日 : 20220401
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 日本冲信息株式会社
变更后权利人 : 冲电气工业株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京港区虎之门１丁目７番１２号
2011-11-16 ：
授权
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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